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稳压IC-电源发展趋势

功率密度功率更大，布板空间更小。

TI的高功率密度器件产品系列的设计亮点在于采用了SWIFT?降压稳压器系列，在紧凑的热增强型封装中提供高性能功能集和高输出电流功能。高密度开关稳压器是为FPGA和处理器等高电流数字负载供电的理想选择。使用我们的处理器连接工具，查找可优化FPGA或处理器的合适产品，UCC2800D稳压IC，UCC2800D稳压IC。低EMI降低开关稳压器的EMI可能是许多电源设计人员面临的一项主要挑战，UCC2800D稳压IC。采用内置EMI消减技术的器件不仅能缩短设计时间，还有助于符合CISPR255类等严苛标准。

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图8说明了时域和频域中的这些参数。-稳压IC技术专题 在CISPR 25等标准中，通常会将fm设置在9 kHz左右，以优化低频段，但这恰好也在音频范围内。为了解决这一问题，您可以进一步以伪随机方式调制三角调制，以传播可听能量，而不会对传导和辐射EMI性能产生重大影响。下页的图9说明了时域和频域中的这种调制模式，这是TPS55165-Q1（同步降压-升压转换器）上的一个功能。
EMI不仅限于单个频带（因此也限于单个RBW），而是多个频带的事实带来了困境，因为扩频通常只能针对单个频带的改进。解决这个问题的一种新方法是一种称为双随机扩频（DRSS）的数字扩频技术。DRS背后的基本原理是叠加两个调制剖面，每个调制剖面针对不同的RBW。有关更多信息，请参阅应用报告“EMI抑制技术，双随机扩频”
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由于DC/DC转换器的功率路径中存在寄生电感，高转换率还会导致高频开关节点振铃，从而进一步增加振铃频率及以上的发射。

下页的图7显示了切换节点上的转换速率和相关振铃如何影响排放。限制开关转换引起的EMI发射的传统方法是通过在开关设备的栅极驱动路径中添加有意的电阻来降低它们的速度。这会导致转换速度变慢，导致更快的发射衰减，并在振铃频率下减少8到10 dB的发射。然而，这种开关边缘的减速会导致开关转换器的峰值电流效率降低2%-3%。 图10显示了时域中的DRSS调制剖面，三角形包络瞄准较低的RBW，叠加伪随机序列瞄准较高的RBW。

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图11显示了LM5156-Q1的传导发射性能，LM5156-Q1是一种非同步boost控制器，有无DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz频段以及30至108 MHz频段的频谱峰值***降低，这是CISPR 25汽车标准的两个关键频段。LM5157-Q1非同步boost转换器还具有DRS功能，并实现类似的性能。 特克电子，电源稳压IC专家，专业产品顾问为您服务！期待您的光临！

扩频技术适用于非隔离拓扑和隔离拓扑，因为这两种拓扑的EMI源相似，而频率扩展提供了相同的好处。 带集成变压器的UCC12040和UCC12050隔离DC/DC转换器能够通过CISPR 32 B级EMI测试限值，部分原因是内部扩频技术。

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具有可编程斜率补偿、3.5ms软启动、4.3/4.1UVLO、温度范围为-40°C至85°C的电流模式推挽式PWMUCC28084稳压IC的特性可编程斜率补偿UCC38083/4上的内部软启动逐周期限流120?A的低启动电流和1.5mA的典型运行电流单外部组件振荡器，可在50kHz至1MHz范围内编程高电流图腾柱双输出级驱动器推拉配置，具有1-A接收器和0.5-A电源能力提高动态响应的电流感应放电晶体管内部修剪带隙基准滞后欠压锁定应用高效率开关电源电信直流-直流转换器负载点或使用点电源模块低成本推拉和半桥应用 电源稳压IC，就选特克就够了，原厂现货！一站式服务！欢迎新老客户来旬！LM5116MHX/NOPB稳压IC

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DC/DC控制器-稳压IC-输出电流由外部MOSFET设置，这使设计者能够优化效率和性能。坚强的TI控制器中的MOSFET驱动器可以驱动更多的外部MOSFET。电荷泵-TI的低压电荷泵系列--稳压IC提供了一种低噪声解决方案，无需电感器即可提高电压。电荷泵达到90%的峰值效率，对于300mA以下的输出电流非常有用。访问TECH-TREK官网通过简单的提供系统的电压和输出电流。

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