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UCC28084稳压IC的说明

UCC38083/4/5/6稳压IC是一系列BiCMOS脉宽调制（PWM）控制器，用于直流到直流或离线固定频率电流模式开关电源。双输出级配置为推拉拓扑。两个输出都使用切换触发器以振荡器频率的一半进行切换。两个输出之间的死区时间通常为110ns，将每个输出的占空比限制在50%以下。
UCC38083稳压IC和UCC38085稳压IC设备的开启/关闭阈值为12.5 V/8.3 V，而UCC38084稳压IC和UCC38086稳压IC的开启/关闭阈值为4.3 V/4.1 V。每个设备均采用8针TSSOP（PW）、8针SOIC（D）和8针PDIP（P）封装，LM5036RJBR稳压IC。 电源IC、稳压IC就找特克电子，德州仪器，LM5036RJBR稳压IC，LM5036RJBR稳压IC、亚德诺、英飞凌原装现货，专业顾问为您服务！LM5036RJBR稳压IC

图10显示了时域中的DRSS调制剖面，三角形包络瞄准较低的RBW，叠加伪随机序列瞄准较高的RBW。

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图11显示了LM5156-Q1的传导发射性能，LM5156-Q1是一种非同步boost控制器，有无DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz频段以及30至108 MHz频段的频谱峰值***降低，这是CISPR 25汽车标准的两个关键频段。LM5157-Q1非同步boost转换器还具有DRS功能，并实现类似的性能。 TPS64200DBVR稳压IC电源稳压IC，就选特克集团，原厂代理！欢迎新老客户来旬！

扩频技术适用于非隔离拓扑和隔离拓扑，因为这两种拓扑的EMI源相似，而频率扩展提供了相同的好处。 带集成变压器的UCC12040和UCC12050隔离DC/DC转换器能够通过CISPR 32 B级EMI测试限值，部分原因是内部扩频技术。

增强型热棒? QFN公司 增强型HotRod quad flat no lead（QFN）封装提供了HotRod封装的所有EMI降低功能，并具有更低开关节点电容的额外优势，从而大降低了振铃。在具有增强型热棒QFN的设备中，寄生在输入电压（VIN）和接地（GND）引脚上的电阻-导体-电容器（RLC）也较低 与HotRod软件包相比。 LM60440-Q1降压转换器采用增强型热棒QFN，下页图18显示了引脚和电路板布局。增强型HotRod QFN不仅提高了效率，还包括封装中心有一个大型模具连接垫（DAP）的封装外形。与热棒封装相比，DAP有助于通过PCB更好地散热，并将结温升高降低15%以上。此外，VIN、GND和开关节点引脚上较低的RLC寄生也会提高效率并降低EMI。正如预期的那样，这会产生更好的EMI，尤其是在交换机节点振铃频带周围 如下图19所示。

真回转率控制 尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。 LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。 电源稳压IC，就选特克集团，原厂现货！专业产品顾问为您服务！

TI稳压IC-减少高频发射的创新 到目前为止，我们描述的EMI缓解技术通常会减少低频发射（<30 MHz），相应减少所需的无源滤波量以及相关的尺寸、体积和成本效益。现在，让我们看看设计用于缓解高频发射（>30 MHz）的技术。 火棒? 包裹 减少高频发射的主要方法之一是非常小化功率回路电感。TI的降压转换器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1 从键合线封装到基于引线框架的倒装芯片（热棒）封装，有助于降低功率回路电感，进而减少开关节点振铃。 电源稳压IC，就选特克就够了，原厂现货！专业顾问为您服务！UCC38C43DGKRG4稳压IC

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功率MOSFET概述：

TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET?技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。

NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。 LM5036RJBR稳压IC

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