LM5088QMH-1/NOPB稳压IC 深圳市特克电子供应

稳压IC-带导线的SIMPLESWITCHER®模块易于使用的模块，适用于需要高达42V输入电压的应用。

?单个外露底部?

支持5-V、12-V和24-V导轨

?输出电流高达10A

?输出电流高达10A

稳压IC-微型IP?模块解决方案总占地面积**小。

?带集成盖和电感器：如TPS826x系列（6MHz）和TPS82740

?*带集成电感器：如TPS82084/85（6-V输入）和TPS82130/40/50（17-V输入）

?**功耗，如TPS82740，只有360nAIQ（运行）

?LMZM23601比较高36-V输入

TI的电源模块包括实现DC/DC电源解决方案，可简化设计、减少解决方案大小并缩短开发时间，LM5088QMH-1/NOPB稳压IC。产品的电压高达60V，电流高达50A，LM5088QMH-1/NOPB稳压IC，LM5088QMH-1/NOPB稳压IC。

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什么是稳压IC的EMI？ 在需要电磁兼容性（EMC）的系统中，用作电磁源的组件设计用于减少其干扰，易受干扰的组件设计用于降低其敏感性。当终端设备制造商集成来自不同供应商的组件时，确保干扰源和敏感电路能够和平共存的***方法是制定一套通用规则，其中干扰限制在一定水平，敏感电路能够处理该水平的干扰。
这些规则是在行业标准规范中制定的，如国际扰动无线电委员会（CISPR）25用于汽车行业，CISPR32用于多媒体设备。CISPR标准对于EMI设计至关重要，因为它们将规定任何EMI缓解技术的目标性能。本文的重点是减少干扰，因为开关电源通常是电磁干扰源。有关EMI标准的***列表，请参阅白皮书“电源传导EMI规范概述”和“电源辐射EMI规范概述”
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稳压IC-电源发展趋势

功率密度功率更大，布板空间更小。

TI的高功率密度器件产品系列的设计亮点在于采用了SWIFT?降压稳压器系列，在紧凑的热增强型封装中提供高性能功能集和高输出电流功能。高密度开关稳压器是为FPGA和处理器等高电流数字负载供电的理想选择。使用我们的处理器连接工具，查找可优化FPGA或处理器的合适产品。低EMI降低开关稳压器的EMI可能是许多电源设计人员面临的一项主要挑战。采用内置EMI消减技术的器件不仅能缩短设计时间，还有助于符合CISPR255类等严苛标准。

图8说明了时域和频域中的这些参数。-稳压IC技术专题 在CISPR 25等标准中，通常会将fm设置在9 kHz左右，以优化低频段，但这恰好也在音频范围内。为了解决这一问题，您可以进一步以伪随机方式调制三角调制，以传播可听能量，而不会对传导和辐射EMI性能产生重大影响。下页的图9说明了时域和频域中的这种调制模式，这是TPS55165-Q1（同步降压-升压转换器）上的一个功能。
EMI不仅限于单个频带（因此也限于单个RBW），而是多个频带的事实带来了困境，因为扩频通常只能针对单个频带的改进。解决这个问题的一种新方法是一种称为双随机扩频（DRSS）的数字扩频技术。DRS背后的基本原理是叠加两个调制剖面，每个调制剖面针对不同的RBW。有关更多信息，请参阅应用报告“EMI抑制技术，双随机扩频”
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稳压IC专题

由于DC/DC转换器的功率路径中存在寄生电感，高转换率还会导致高频开关节点振铃，从而进一步增加振铃频率及以上的发射。 电源稳压IC，就选特克集团，原厂代理！专业产品顾问为您服务！TL1451ACD稳压IC

下页的图7显示了切换节点上的转换速率和相关振铃如何影响排放。限制开关转换引起的EMI发射的传统方法是通过在开关设备的栅极驱动路径中添加有意的电阻来降低它们的速度。这会导致转换速度变慢，导致更快的发射衰减，并在振铃频率下减少8到10 dB的发射。然而，这种开关边缘的减速会导致开关转换器的峰值电流效率降低2%-3%。

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功率MOSFET概述：

TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET?技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。

NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。 LM5088QMH-1/NOPB稳压IC

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