UCC3807DTR-3稳压IC 深圳市特克电子供应

DC/DC控制器-稳压IC-输出电流由外部MOSFET设置，这使设计者能够优化效率和性能。坚强的TI控制器中的MOSFET驱动器可以驱动更多的外部MOSFET。电荷泵-TI的低压电荷泵系列--稳压IC提供了一种低噪声解决方案，无需电感器即可提高电压。电荷泵达到90%的峰值效率，对于300mA以下的输出电流非常有用。访问TECH-TREK官网通过简单的提供系统的电压和输出电流。

采用TI***的电源模块产品组合进行设计，可实现宽输入电压和输出电流范围、灵活的封装选项和易于使用的集成解决方案，适用于各种非隔离，UCC3807DTR-3稳压IC，UCC3807DTR-3稳压IC、工业，UCC3807DTR-3稳压IC、医疗和通信应用。 电源稳压IC，就选特克集团，专业专注!专业产品顾问为您服务！UCC3807DTR-3稳压IC

功率MOSFET概述：

TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET?技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。

NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。 LM3477MM/NOPB稳压IC特克集团，专业经营电源稳压IC，专业产品顾问为您服务！欢迎新老客户来旬！

真回转率控制 尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。 LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。

什么是稳压IC的EMI？ 在需要电磁兼容性（EMC）的系统中，用作电磁源的组件设计用于减少其干扰，易受干扰的组件设计用于降低其敏感性。当终端设备制造商集成来自不同供应商的组件时，确保干扰源和敏感电路能够和平共存的***方法是制定一套通用规则，其中干扰限制在一定水平，敏感电路能够处理该水平的干扰。
这些规则是在行业标准规范中制定的，如国际扰动无线电委员会（CISPR）25用于汽车行业，CISPR32用于多媒体设备。CISPR标准对于EMI设计至关重要，因为它们将规定任何EMI缓解技术的目标性能。本文的重点是减少干扰，因为开关电源通常是电磁干扰源。有关EMI标准的***列表，请参阅白皮书“电源传导EMI规范概述”和“电源辐射EMI规范概述”
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德州仪器 稳压IC技术专题

图13显示了在400 kHz开关频率下运行的buck变换器的EMI测量结果，比较了有源和无源EMI滤波方法。为了有效满足CISPR 25 5级频谱屏蔽，无源EMI滤波器需要一个3.3μH的DM电感和一个10μF的DM电容。有源滤波方法可以通过*1μH的DM电感器以及100 nF的传感和注入电容实现相同的有效衰减。这有助于将无源滤波器的大小和体积分别减小到原始值的43%和27%。对于更大电流的转换器，可以通过降低电感直流电阻来获得成本和效率方面的进一步好处。 电源稳压IC，就选特克就够了，原厂现货！一站式服务！期待您的光临！LM5141RGER稳压IC

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包裹散热-稳压IC知识 ?热棒? 包装材料 ?增强型热棒QFN，支持热垫 HotRodTM封装消除了键合线，同时保持了优异的热性能。 支持小型无源器件的拓扑和电路 ?多电平变流器拓扑 ?高级功率级门驱动器 多级拓扑结构可实现更小的磁性。 集成比较大限度地减少寄生并减少系统占用F ?MicroSiP 3D模块集成 ?具有低回路电感的GaN和驱动器多芯片模块（MCM） GaN+栅驱动器MCM可减少寄生，提高功率密度。

支持3D集成的MicroSiP软件包。

Tech-Trekt提供全系列TI稳压IC。 UCC3807DTR-3稳压IC

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