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包裹散热-稳压IC知识 ?热棒? 包装材料 ?增强型热棒QFN，支持热垫 HotRodTM封装消除了键合线，同时保持了优异的热性能。 支持小型无源器件的拓扑和电路 ?多电平变流器拓扑 ?高级功率级门驱动器 多级拓扑结构可实现更小的磁性，LM5146RGYR稳压IC。 集成比较大限度地减少寄生并减少系统占用F ?MicroSiP 3D模块集成 ?具有低回路电感的GaN和驱动器多芯片模块（MCM） GaN+栅驱动器MCM可减少寄生，LM5146RGYR稳压IC，提高功率密度。

支持3D集成的MicroSiP软件包，LM5146RGYR稳压IC。

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数据表SMPS设备评估模块中公布的传导和辐射EMI结果根据**严格的工业和汽车EMI标准进行测试，数据表中公布的结果有助于您提前了解设备的EMI性能。您可以通过单击设备数据表第一页上的“针对**EMI要求进行了优化”来访问详细的EMI报告。LM62440-Q1数据表中的EMI报告包括CISPR 25 5级传导和辐射设置的完整数据。 此外，TI可以在内部执行系统级EMI建模和测量，以帮助您验证EMI性能并加快循环时间。
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图10显示了时域中的DRSS调制剖面，三角形包络瞄准较低的RBW，叠加伪随机序列瞄准较高的RBW。

稳压IC技术专题

图11显示了LM5156-Q1的传导发射性能，LM5156-Q1是一种非同步boost控制器，有无DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz频段以及30至108 MHz频段的频谱峰值***降低，这是CISPR 25汽车标准的两个关键频段。LM5157-Q1非同步boost转换器还具有DRS功能，并实现类似的性能。

扩频技术适用于非隔离拓扑和隔离拓扑，因为这两种拓扑的EMI源相似，而频率扩展提供了相同的好处。 带集成变压器的UCC12040和UCC12050隔离DC/DC转换器能够通过CISPR 32 B级EMI测试限值，部分原因是内部扩频技术。

功率MOSFET概述：

TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET?技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。

NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。 电源稳压IC，就选特克集团，原厂现货！欢迎新老客户来旬！

真回转率控制 尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。 LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。 特克电子专业经营德州仪器稳压IC，专业顾问为您服务！LM2745MTC/NOPB稳压IC

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减少低频发射的创新-稳压IC技术专题 让我们看看TI在构建其转换器和控制器时使用的一些技术，以解决效率、EMI、尺寸和成本等基本权衡问题。

扩频-稳压IC技术专题 扩频利用能量守恒原理，通过在多个频率上传播能量来减少EMI峰值。然而，峰值敏感电路“看到”的能量可能不会减少；这取决于敏感电路的带宽与方法之间的关系频率调制。测量EMI时，频谱分析仪充当敏感电路，行业标准设置分辨率 带宽（RBW）。因此，以***的方式对目标标准进行频率调制非常重要。一般的经验法则是，调制频率fm大约等于目标RBW，扩展带宽ΔfC约为±5%至±10%。 LM5146RGYR稳压IC

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